在半導體技術的廣泛應用中，MOS管作為一種關鍵的電子元件，除了其常規的開關與放大功能外，還可巧妙地用作二極管。這一創新應用拓展了MOS管的功能邊界，為電路設計提供了更多靈活性與優化空間。
一、MOS管構成二極管的原理
深入探究MOS管的內部構造，會發現其襯底（B）與漏極（D）之間天然形成一個PN結。這一獨特結構為將MOS管改造成二極管奠定了基礎。具體而言，當對MOS管的各引出端進行特殊電氣連接時，就能等效地形成一個二極管，實現單向導電的二極管特性。
二、NMOS管二極管接法及特性
電路連接方式：對于NMOS管，將源極（S）、柵極（G）和襯底（B）共同連接在一起，形成一個整體，此組合充當二極管的陽極；而漏極（D）則作為二極管的陰極。
I-V特性曲線解析：
在這樣的接法下，NMOS管展現出獨特的正向導通與反向截止特性。當陽極電壓高于陰極時，NMOS管內部的PN結正向偏置，電流能夠順利從陽極流向陰極；反之，在反向電壓下，電流則被有效阻斷。通過仿真得到的I-V特性曲線清晰地描繪了這一行為，直觀呈現了NMOS管用作二極管時的性能表現，包括正向導通電壓降、正向導通電阻以及反向恢復時間等關鍵參數。
在這樣的接法下，NMOS管展現出獨特的正向導通與反向截止特性。當陽極電壓高于陰極時，NMOS管內部的PN結正向偏置，電流能夠順利從陽極流向陰極；反之，在反向電壓下，電流則被有效阻斷。通過仿真得到的I-V特性曲線清晰地描繪了這一行為，直觀呈現了NMOS管用作二極管時的性能表現，包括正向導通電壓降、正向導通電阻以及反向恢復時間等關鍵參數。
三、PMOS管二極管接法及特性
電路連接方式：與NMOS管相對應，PMOS管用作二極管時，源極（S）、柵極（G）和襯底（B）聯結在一起構成二極管的陰極，而漏極（D）則作為二極管的陽極。
I-V特性曲線解析：
PMOS管在該接法下同樣具備單向導電性。當其陽極電壓低于陰極時，內部PN結處于正向偏置狀態，電流可以正常流動；而在正向電壓極性相反時，電流被截止。PMOS管的I-V特性曲線同樣記錄了其作為二極管時的電氣行為，涵蓋了正向導通特性、反向漏電流以及反向恢復特性等重要信息，為電路設計人員提供了詳細的設計參考依據。
PMOS管在該接法下同樣具備單向導電性。當其陽極電壓低于陰極時，內部PN結處于正向偏置狀態，電流可以正常流動；而在正向電壓極性相反時，電流被截止。PMOS管的I-V特性曲線同樣記錄了其作為二極管時的電氣行為，涵蓋了正向導通特性、反向漏電流以及反向恢復特性等重要信息，為電路設計人員提供了詳細的設計參考依據。
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