<small id="4qkqa"><menu id="4qkqa"></menu></small>
<ul id="4qkqa"></ul>
  • <ul id="4qkqa"></ul>
    亚洲av乱码一区二区三区林ゆな ,国产精品久久..4399,欧美性猛交╳xxx乱大交,国产精品毛片大码女人,强迫妺妺hd高清中字,美女内射毛片在线看免费人动物 ,被体育老师抱着c到高潮,菠萝蜜免费观看视频

    您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網(wǎng)!

    深圳市烜芯微科技有限公司

    ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
    二極管、三極管、MOS管、橋堆

    全國(guó)服務(wù)熱線(xiàn):18923864027

  • 熱門(mén)關(guān)鍵詞:
  • 橋堆
  • 場(chǎng)效應(yīng)管
  • 三極管
  • 二極管
  • MOSFET可靠性測(cè)試圖文介紹
    • 發(fā)布時(shí)間:2023-06-13 19:04:41
    • 來(lái)源:
    • 閱讀次數(shù):
    MOSFET可靠性測(cè)試圖文介紹
    HTRB 高溫反偏測(cè)試
    高溫反偏測(cè)試主要用于驗(yàn)證長(zhǎng)期穩(wěn)定情況下芯片的漏電流,考驗(yàn)對(duì)象是MOSFET邊緣結(jié)構(gòu)和鈍化層的弱點(diǎn)或退化效應(yīng)。
    測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):JESD22-108
    測(cè)試條件為:Tj = max, Vds=80% of Vdsmax, Vgs=0
    測(cè)試原理圖如下:
    MOSFET 測(cè)試
    在測(cè)試中,需持續(xù)監(jiān)測(cè)MOSFET源極-漏極的漏電流,如果漏電流超過(guò) 電源 設(shè)定上限,則可以判定為失效。
    HTGB 高溫門(mén)極反偏測(cè)試
    高溫門(mén)極反偏測(cè)試主要用于驗(yàn)證柵極漏電流的穩(wěn)定性,考驗(yàn)對(duì)象是MOSFET柵極氧化層。
    測(cè)試標(biāo)準(zhǔn): JESD22-108
    測(cè)試條件為:Tj = max, Vgs=100% of Vgsmax, Vds=0
    測(cè)試原理圖如下:
    MOSFET 測(cè)試
    在測(cè)試中,需持續(xù)監(jiān)測(cè)門(mén)極的漏電流和門(mén)極電壓,若這兩項(xiàng)參數(shù)超出指定規(guī)格,則MOSFET將不能通過(guò)此項(xiàng)測(cè)試。
    H3TRB 高溫高濕反偏測(cè)試
    高溫高濕反偏測(cè)試,也就是大家熟悉的雙85測(cè)試,主要用于測(cè)試溫濕度對(duì)功率器件長(zhǎng)期特性的影響。
    測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):JESD22A-101
    測(cè)試條件為:1000個(gè)小時(shí),環(huán)境溫度85℃,相對(duì)濕度85%,VCE=100V
    測(cè)試原理圖如下:
    MOSFET 測(cè)試
    在這一項(xiàng)測(cè)試中,施加的電場(chǎng)主要用于半導(dǎo)體表面離子積累和極性分子的驅(qū)動(dòng)力,但是為了避免測(cè)試過(guò)程中漏電流產(chǎn)生的溫升降低相對(duì)濕度,所以對(duì)于MOSFET器件,一般選用100V做為測(cè)試電壓,這樣能將芯片的自加熱溫度控制在2℃以?xún)?nèi)。
    應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)表明,許多現(xiàn)場(chǎng)失效與濕度有著不可分割的關(guān)系,因此引入了高壓高溫高濕反偏測(cè)試的討論,即HV-H3TRB測(cè)試。隨著MOSFET芯片的技術(shù)更新以及部分高可靠性應(yīng)用的要求,測(cè)試電壓可調(diào)整為阻斷電壓的100%,保證MOSFET在高濕度應(yīng)用情況下具有更高的可靠性。
    HTSL 高溫存儲(chǔ)測(cè)試/LTSL 低溫存儲(chǔ)測(cè)試
    高溫存儲(chǔ)測(cè)試和低溫存儲(chǔ)測(cè)試主要用于驗(yàn)證MSFET封裝結(jié)構(gòu)和材料的完整性。
    測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):JESD22A-103
    測(cè)試條件為:高溫 1000個(gè)小時(shí),環(huán)境溫度:125℃;低溫 1000個(gè)小時(shí),環(huán)境溫度:-40℃
    測(cè)試原理圖如下:
    MOSFET 測(cè)試
    測(cè)試前后需對(duì)比MOSFET靜態(tài)性能參數(shù),并檢查封裝外觀是否發(fā)生異常。
    IOL 間歇運(yùn)行壽命測(cè)試
    對(duì)比溫度循環(huán),在間歇運(yùn)行壽命測(cè)試中,測(cè)試樣品通過(guò)流過(guò)半導(dǎo)體的電流進(jìn)行主動(dòng)加熱至最高目標(biāo)溫度,然后關(guān)斷電流,通過(guò)風(fēng)冷將樣品主動(dòng)冷卻到最低溫度。循環(huán)時(shí)間大約為2分鐘。此項(xiàng)測(cè)試的目的是確定MOSFET在特定條件下的開(kāi)關(guān)循環(huán)次數(shù)是否符合規(guī)定。
    測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):MIL-STD-750 : 1037
    測(cè)試條件為:Ta=25°C, ΔTj>105°C, on/off=2min
    測(cè)試原理圖如下:
    MOSFET 測(cè)試
    〈烜芯微/XXW〉專(zhuān)業(yè)制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等,20年,工廠直銷(xiāo)省20%,上萬(wàn)家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用,專(zhuān)業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號(hào)碼或加QQ/微信,由我們的銷(xiāo)售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報(bào)價(jià)以及產(chǎn)品介紹
     
    聯(lián)系號(hào)碼:18923864027(同微信)
    QQ:709211280
    相關(guān)閱讀
    主站蜘蛛池模板: 涞源县| 亚洲精品成人片在线观看精品字幕| 国产99久久久国产精品~~牛| 宜君县| 少女视频在线观看完整版中文| 天堂网中文www在线| 国产av旡码专区亚洲av苍井空| 最近中文字幕国语免费完整 | 丰满的女教师bd高清在线观看| 成人影片麻豆国产影片免费观看 | 姐姐4免费观看大全电视剧中文版| 成人免费毛片内射美女-百度| 嫩草影院永久在线| 日韩av无码免费播放| 边啃奶头边躁狠狠躁| 成人网站免费大全日韩国产| 一边捏奶头一边高潮视频| 成人免费无码大片a毛片抽搐色欲 精品福利视频一区二区三区 | 西西人体做爰大胆gogo| 成人又黄又爽又色的网站| 国产又色又爽无遮挡免费| 一二三四社区在线中文视频| 亚洲同志gay片可播放| 欧美人与性动交ccoo| 一本大道伊人av久久综合| 欧美人妻少妇精品久久黑人 | 波多野42部无码喷潮| 墨竹工卡县| 出租屋勾搭老熟妇啪啪| japan白嫩丰满人妻videos| 试看做受1分钟小视频| 南平市| 最好看的mv中文字幕国语电影 | 全部免费a级毛片| 免费人成在线观看网站| 欧洲精品99毛片免费高清观看| 黄金网站app观看大全| 亚洲熟妇少妇任你躁在线观看| 最近2018中文字幕在线高清6 | 韩国三级bd高清在线观看| 略阳县|